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OCXO恒温晶振深度解析
OCXO恒温晶振深度解析
在5G/6G核心基站,卫星通信系统,北斗/GNSS精密授时,军工测控设备,高端实验室测试仪器,高精度时序同步网络等顶尖电子领域,设备对时钟基准的精度,稳定性,抗干扰能力与长期一致性有着近乎严苛的极致要求.普通无源晶振,常规有源晶振,甚至行业主流的TCXO温度补偿晶振,受限于温度补偿机制,器件物理特性与电路架构短板,无法抵消长期老化漂移,极端温变,电压波动带来的频率误差,难以实现ppb级超高稳定时序输出,无法支撑高端精密设备的常态化,不间断高精度运行.
OCXO恒温晶振(OvenControlledCrystalOscillator)作为当前商用,工业,军工领域综合精度最高,长期稳定性最优,漂移量最低的核心时钟器件,彻底颠覆了传统晶振的补偿逻辑.区别于TCXO依靠电路算法,电压补偿抵消温度频漂的间接补偿方案,OCXO采用物理恒温锁定核心技术,将石英晶片,谐振电路核心单元完全封闭在高精度微型恒温槽内部,通过恒定高温恒温环境隔绝外界-40℃~85℃的环境温度波动,从物理根源上消除温度带来的频率偏移,可稳定实现sub-ppb级超高频率稳定度,是高端时序系统的核心基石.
极致的精度背后,是OCXO高度复杂的集成架构.相较于普通晶振极简的振荡电路,OCXO集成了恒温加热控制系统,温度传感模块,高精度稳压单元,电压调谐驱动模块,基准电压源,低相噪振荡回路六大核心系统.其中,VC电压控制功能(电压调谐)与VREF电压参考功能(基准稳压)是OCXO实现可校准,可锁相,低漂移,长期高精度运行的两大电气核心,也是区别于TCXO,VCXO等普通高精度晶振的标志性功能.
在多年硬件研发,量产调试与技术对接中发现,绝大多数OCXO时序故障,锁相失败,精度降级,频漂超标的隐性问题,均不是器件质量问题,而是工程师对VC,VREF两大电压功能认知不足,电路设计不规范,基准使用不当导致.多数设计仅关注主供电电压与时钟输出波形,忽略调谐电压线性度,基准电压纯净度,电压环路稳定性等关键细节,最终引发设备同步失效,长期频偏累积,高温跳频,授时不准等疑难故障.
作为ECS伊西斯品牌深圳正规授权代理,康华尔电子长期深耕高端精密频率器件领域,专注为通信基站,卫星授时,军工科研,精密仪器,高端工控企业提供原厂ECSOCXO恒温晶振,高稳TCXO,低噪声晶振配套与全套时钟优化方案.本文将全方位,系统化深度拆解OCXO电压控制,电压参考的底层物理原理,协同工作逻辑,工程应用场景,常见设计误区,故障机理与标准化优化方案,帮助硬件研发,射频,时序设计工程师彻底吃透OCXO高精度设计核心,规避量产隐患.
一,OCXO核心架构:为什么电压系统决定整机精度上限？
OCXO能够碾压常规晶振实现跨量级的精度提升,核心源于"物理恒温稳频+电气精准校准"的双重复合架构,这也是其区别于所有温补,压控晶振的核心优势.完整OCXO整机集成六大核心模块:高精密石英谐振单元,闭环恒温温控系统,低噪声稳压供电单元,VC电压调谐控制单元,VREF基准电压参考单元,超低相噪振荡放大电路,各模块协同工作,相互制衡,共同构建超高稳定时钟体系.
其中,闭环恒温温控系统是OCXO的基础保障,通过实时温度采样,PID恒温加热控制,让晶片始终维持在最优谐振温度,彻底隔绝外界环境温差,设备发热,工况温变带来的频率漂移,锁定基础频率稳定性.但仅靠物理恒温,无法抵消器件长期老化,电路参数漂移,负载变化,系统基准偏差带来的微量频率偏移,这类微小误差会随着设备长期不间断运行持续累积,最终导致高精度时序系统精度降级,同步偏移.
而VC电压控制系统与VREF电压参考系统,正是解决这一短板的核心电气架构,承担着微量纠偏,动态校准,基准锁定,锁相同步的核心作用.可以明确行业核心设计逻辑:恒温槽决定OCXO的基础温度稳定下限,电压控制与电压参考系统决定OCXO的长期校准精度上限与同步性能上限.在基站同步,卫星授时,军工时序同步,精密测试测量等需要7×24小时不间断运行,长期零漂移的场景中,电压系统的设计合理性,直接决定整套设备的时序精度等级与使用寿命.
若无稳定可靠的电压调控与基准参考体系,即便OCXO恒温精度再高,晶片品质再优异,也会出现频率偏差持续累积,PLL锁相环无法稳定锁定,时序同步跳变,长期频漂超标等致命问题,彻底浪费OCXO的超高精度硬件性能.
二,OCXO电压控制功能(VC):精准频率调谐与动态校准核心
1.电压控制功能核心定义与底层工作原理
OCXO的VC(VoltageControl)电压调谐功能,是高端恒温晶振标配的精准调频,校准核心功能,也是设备实现自动化频率纠偏,锁相闭环同步,长期精度补偿的关键接口.其核心工作原理基于变容二极管的电容可调特性,延续压控振荡电路的调控逻辑,但相较于普通VCXO压控晶振,OCXO的调谐机制更精密,线性度更高,微调精度更极致.
具体工作流程为:外部输入0~VCC区间的连续纯净直流调谐电压,作用于OCXO内部高精度变容二极管,精准改变二极管PN结结电容;结电容的微量变化会同步调整石英晶片的负载谐振电容参数,进而对晶片谐振频率进行微量,线性的偏移修正,最终实现输出时钟频率的精准微调.
需要重点区分的是,普通VCXO晶振主打大范围频率牵引,适用于粗调,大范围调频场景;而OCXO的VC调谐功能主打ppb级,亚ppb级超精细微调,调谐区间窄,线性度极高,无跳变,无畸变,专门用于抵消器件老化频漂,系统静态偏差,负载参数偏移,微小电压波动带来的精度误差,完全适配高端时序系统的高精度校准需求.
2.VC调谐电压标准工作逻辑与参数特性
行业标准化OCXO电压-频率调谐曲线具备高度线性化,对称化特性,主流供电架构遵循中点校准原则:5V标准供电OCXO,中心基准校准电压为2.5V;3.3V压电晶振供电机型,中心校准电压为1.65V.当VC输入电压严格锁定中点电压时,晶振输出标准中心频率;当输入电压小幅高于中点电压,输出频率微量抬升;输入电压小幅低于中点电压,输出频率微量下降,全程电压与频率呈现严格线性对应关系,无非线性失真,无频率跳变.
调谐斜率(Hz/V)是OCXOVC功能的核心参数,代表每1V电压变化对应的频率偏移量,直接决定系统校准精度与纠偏能力.ECS高端OCXO系列产品经过电路优化与参数校准,调谐线性度误差控制在极低水平,全程调谐曲线平滑规整,可支撑系统实现纳秒级时序同步,亚ppb级频率精准校准,完美适配各类高精度闭环同步系统.
3.VC电压控制四大核心工程应用场景
①出厂高精度标定校准:OCXO出厂阶段,厂家通过专业校准设备精准标定VC中点工作电压,修正石英晶片切割,打磨,装配过程中产生的固有工艺偏差,将晶振初始频率误差压缩至极致,保障出厂精度一致性,为后续长期稳定工作奠定基础.
②长期老化漂移动态补偿:OCXO常年不间断运行,石英晶片会产生微量物理老化,电路器件存在参数温漂与老化偏移,会引发缓慢的频率漂移.设备可通过MCU+DAC模块动态微调VC电压,实时抵消老化偏差,实现数年长期高精度无偏移工作,彻底解决普通晶振后期精度衰减问题.
③PLL锁相环卫星时钟同步锁定:在通信基站,北斗授时终端,全网时序同步设备中,OCXO作为本地超高稳时钟基准,通过VC电压动态微调机制,实时跟踪GPS导航晶振/北斗卫星,IEEE1588网络基准时钟,快速完成锁相锁定,实现本地时钟与全网标准时钟的精准同步,保障全网时序统一,无偏移.
④系统静态误差与工况偏差修正:可精准补偿PCB寄生参数,负载电容变化,供电电压微小波动,设备发热带来的静态频率偏移,实时锁定输出频率恒定,杜绝工况变化引发的时序精度波动.
4.VC电路设计常见误区,故障机理与危害
VC引脚作为高精度模拟调谐接口,抗干扰能力弱,对电压纯净度要求极高,是OCXO电路设计的重难点,也是工程故障高发点,四大常见误区会直接导致精度降级,功能失效:
误区一:VC引脚悬空设计:部分工程师无需手动校准便选择悬空VC引脚,导致内部调谐电路电压随机浮动,无法锁定中心频率,设备会出现频率随机漂移,时序跳动,锁相环无法锁定,授时偏差持续扩大等问题.
误区二:调谐电压叠加干扰纹波:VC电压无滤波电路,走线靠近功率线,开关电源干扰串入,会导致调谐电压带有高频杂波,引发OCXO频率高速抖动,相位噪声恶化,同步信号跳变,通信误码率飙升.
误区三:调谐电压超出规范区间:输入电压超出厂家规定调谐范围,会彻底破坏电压-频率线性对应关系,出现调频非线性,频率畸变,校准失效,无法完成精准纠偏.
误区四:无隔离缓冲电路:DAC输出电压直接接入VC引脚,无阻抗匹配,无隔离缓冲,容易造成负载不匹配,信号反射,导致微调精度下降,校准重复性差.
三,OCXO电压参考功能(VREF):高精度基准电压的核心源头
1.电压参考功能核心定义与核心价值
相较于被广泛关注的VC调谐功能,OCXO内置的VREF电压参考功能极易被工程师忽略,但却是整套高精度校准系统的底层核心基石.VREF是OCXO内部集成,恒温锁定,超低漂移的专用高精度基准电压源,可向外输出一路固定,纯净,超稳的标准直流电压,为外部DAC校准电路,锁相环鉴相模块,时序采样电路提供绝对精准的电压参考标尺.
在高精度时序校准体系中,所有电压微调,频率纠偏,相位校准的精度,完全取决于基准电压的准确度与稳定性.普通LDO稳压电源,系统供电电压存在温漂,纹波,负载波动,压差偏移,电压精度与稳定性极差,完全无法支撑ppb级频率校准需求.而OCXO进口石英晶振VREF基准源依托机身恒温槽恒定工况,摆脱了环境温度干扰,是高端时序系统中精度最高,稳定性最强的原生基准源.
通俗直白区分二者核心分工:VC电压负责精准微调频率,VREF电压负责保障微调的基准绝对精准,二者缺一不可,共同构成OCXO高精度校准体系.
2.VREF基准电压四大核心特性
①超低温漂特性:VREF基准电路集成在OCXO恒温槽内部,长期处于恒定高温工况,彻底规避外界温度变化带来的电压温漂,电压温度系数趋近于零,全温区电压波动可忽略不计,远超常规外置基准源.
②超低噪声纯净输出:内置独立稳压架构,无开关振荡噪声,无电源串扰纹波,输出电压波形极致干净,不会向调谐系统引入高频噪声,从源头保护频率微调精度与相位噪声指标.
③高稳定性与高重复性:长期连续运行无电压偏移,无参数老化,每次上电输出基准电压高度一致,保障设备批量一致性,长期工作稳定性,杜绝批次偏差,时序漂移问题.
④精准适配VC调谐体系:VREF输出电压与OCXO内部VC调谐电路,变容二极管参数经过原厂精准匹配,可直接作为DAC校准模块的专属参考基准,实现闭环精准微调,无需额外参数校准.
3.VREF电压参考的工程落地核心价值
在ppb级高精度时序系统中,基准电压的微小误差会被多级放大,最终转化为频率误差与时序误差.若采用普通系统电源,外置LDO作为DAC校准基准,温度每变化1℃,负载每波动一次,电压就会产生mV级漂移,最终导致OCXO校准偏差持续累积,彻底丧失超高精度优势.
OCXO专属VREF功能的落地价值,就是为设备提供原生级恒温超稳基准,搭建起"VREF基准输出→DAC精准电压转换→VC精细频率调谐"的完整闭环校准链路,让每一次频率微调都精准可控,线性稳定,最大化释放OCXO的超高稳定性能,实现数年长期无漂移,无偏差工作.
四,VC与VREF协同工作逻辑:构建OCXO闭环高精度校准体系
OCXO的电压控制与电压参考功能并非独立工作,而是深度联动,相互依托,形成一套行业独有的物理稳频+电气精校双重闭环高精度系统,也是OCXO远超TCXO,VCXO的核心技术壁垒,完整协同工作流程如下:
1.OCXO恒温槽PID温控系统持续工作,将石英晶片锁定在恒定最优温度,从物理层面彻底消除环境温变带来的基础频率漂移,锁定基础频率精度;
2.内部VREF高精度基准源依托恒温环境,持续输出超稳纯净标准电压,为外部校准电路提供无温漂,无噪声的精准参考标尺;
3.设备MCU时序算法依托VREF基准电压,驱动DAC模块输出高精度,无漂移的微调控制电压,精准输入至OCXOVC引脚;
4.VC调谐电压精准调控内部变容二极管电容,微量修正谐振频率,实时抵消晶片老化,负载偏移,电路漂移带来的细微频率误差;
5.锁相环实时比对卫星/网络标准时钟与本地OCXO时钟,动态微调VC电压,持续修正相位偏差,实现长期稳定锁相,全网时序同步.
整套闭环体系完美解决了"温度漂移,老化漂移,基准漂移,同步偏差"四大高精度时钟痛点,真正实现全天候,长年不间断超高精度稳定运行.
五,OCXO电压系统硬件设计规范与落地优化要点
结合两大电压功能的工作特性与高频故障案例,整理出可直接落地的标准化电路设计,PCB布局,参数匹配规范,全方位规避精度降级,锁相失效,频率漂移,相位噪声恶化等问题:
1.VC调谐引脚标准化设计:VC引脚严禁悬空,严禁直接接入波动电源与开关电源输出;必须配置1k~10k电阻+0.1μF电容RC低通滤波电路,滤除高频干扰与纹波,保证调谐电压极致纯净;严格按照规格书限定输入电压区间,保证调频线性度;长距离走线必须做屏蔽处理,远离功率走线,高频模块,杜绝电磁串扰引发频率抖动.
2.VREF参考电压使用规范:VREF为高精度微电流基准源,输出驱动能力弱,仅可作为电压校准基准,严禁驱动负载,功率电路,指示灯等外设;走线遵循短,直,细原则,全程远离强弱电干扰源,不与功率线平行走线;引脚预留0.1μF高精度滤波电容,稳定基准电压,杜绝电压畸变与波动.
3.主电源系统稳定性管控:OCXO整机必须采用低噪声LDO独立供电,禁止开关电源直接供电,减少开关纹波对恒温系统,基准源,振荡电路的干扰;供电回路增加多级滤波,电源地完整铺铜,减少地电位漂移与共模干扰,保障整机电气环境稳定.
4.分区布线与屏蔽优化:VC信号线,VREF基准线,时钟输出线为微弱高精度信号线,需与功率走线,开关走线,高频干扰线严格分区隔离,强弱电分离;高端高精度场景建议为OCXO增加金属屏蔽壳体,隔绝外界电磁干扰,机械振动,全方位保障电压系统与振荡系统稳定工作.
六,ECSOCXO:高精度电压调控体系,赋能高端精密时钟系统
作为全球知名高端频率控制器件研发品牌,ECS时钟晶振深耕OCXO恒温晶振领域多年,针对高端时序系统的低漂移,低噪声,高精度校准,长期同步稳定核心需求,持续迭代电压调控架构与恒温稳频技术,打造出具备行业顶尖性能的高稳OCXO产品矩阵.
ECS全系OCXO搭载超高线性度VC电压调谐系统,经过原厂精准校准,调谐斜率均匀稳定,全程无跳变,无畸变,无非线性误差,可实现亚ppb级超精细频率微调,完美适配5G/6G基站同步,卫星授时,军工锁相同步,设备老化补偿等极致高精度场景.同时内置恒温锁定VREF超稳基准模块,依托恒定恒温工况彻底消除电压温漂,输出基准电压纯净,稳定,无噪声,为系统闭环校准提供绝对可靠的基准标尺,从根源解决普通基准源漂移导致的精度降级,同步不稳问题.
除此之外,ECSOCXO具备超低相位噪声,超低日老化率,超强高低温适应性,长期运行无漂移的核心优势,全温区频率稳定度,时序同步精度,抗干扰性能均达到行业顶尖水平,广泛应用于通信核心设备,卫星导航授时,军工精密测控,高速时序同步网络,高端实验室精密仪器等核心领域,是高端高精度时钟方案的优选原厂器件.
七,康华尔电子ECS晶振专属配套服务
作为ECS伊西斯品牌深圳正规授权代理,康华尔电子专注原厂ECS全系OCXO恒温晶振,高稳TCXO温补晶振,低相噪高频晶振,车规级晶振一站式原厂配套服务,所有产品100%原厂溯源,品质可靠,参数精准,货源稳定充足,可全面满足客户样品测试,研发设计,小批量试产,大批量量产的全阶段供货需求,杜绝散新,翻新,替代器件,保障产品批量稳定性.
我司组建专业的高端时钟技术团队,深耕OCXO电压调谐设计,VREF基准应用,PLL锁相匹配,低噪声电路优化,时序稳定性整改等核心技术,拥有丰富的项目落地与故障整改经验.可免费为广大研发企业提供OCXO精准选型,电压电路设计指导,闭环校准方案优化,时序故障整改,样品测试评估全流程技术支持,快速解决设备时钟漂移,锁相失效,精度不足,相位噪声超标,时序不稳等疑难问题,有效缩短研发周期,降低量产整改成本,提升产品核心竞争力.
如需ECS高精度OCXO恒温晶振样品测试,型号精准选型,批量报价及相关技术咨询,欢迎来电洽谈！咨询热线:0755-27838351,康华尔电子竭诚为广大高端精密电子研发企业提供专业,高效,靠谱的原厂配套服务！
OCXO恒温晶振深度解析
|
ECS-2033-160-BN |
ECS晶振 |
ECS-2033 |
XO |
16 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225SMV-250-GP-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225SMV |
XO |
25 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225SMV-500-GP-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225SMV |
XO |
50 MHz |
CMOS |
|
ECS-3518-1250-B-TR |
ECS晶振 |
ECS-3518 |
XO |
125 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3963-1250-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3963-BN |
XO |
125 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3953M-1000-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3953M-BN |
XO |
100 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2532HS-540-3-G |
ECS晶振 |
ECS-2532HS |
XO |
54 MHz |
CMOS |
|
ECS-327TXO-33-TR |
ECS晶振 |
ECS-327TXO |
TCXO |
32.768 kHz |
CMOS |
|
ECS-2532HS-500-3-G |
ECS晶振 |
ECS-2532HS |
XO |
50 MHz |
CMOS |
|
ECS-327TXO-30-TR |
ECS晶振 |
ECS-327TXO |
TCXO |
32.768 kHz |
CMOS |
|
ECS-8FMX-020-TR |
ECS晶振 |
ECS-8FX |
XO |
2 MHz |
CMOS, TTL |
|
ECS-8FMX-010-TR |
ECS晶振 |
ECS-8FX |
XO |
1 MHz |
CMOS, TTL |
|
ECS-8FMX-400-TR |
ECS晶振 |
ECS-8FX |
XO |
40 MHz |
CMOS, TTL |
|
ECS-8FA3X-100-TR |
ECS晶振 |
ECS-8FX |
XO |
10 MHz |
CMOS |
|
ECS-8FMX-160-TR |
ECS晶振 |
ECS-8FX |
XO |
16 MHz |
CMOS, TTL |
|
ECS-8FMX-050-TR |
ECS晶振 |
ECS-8FX |
XO |
5 MHz |
CMOS, TTL |
|
ECS-8FMX-018-TR |
ECS晶振 |
ECS-8FX |
XO |
1.8432 MHz |
CMOS, TTL |
|
ECS-2100AX-200 |
ECS晶振 |
ECS-2100X |
XO |
20 MHz |
HCMOS, TTL |
|
ECS-327SMO-TR |
ECS晶振 |
ECS-327SMO |
XO |
32.768 kHz |
CMOS |
|
ECS-LVDS33-1000-BN |
ECS晶振 |
ECS-LVDS33 |
XO |
100 MHz |
LVDS |
|
ECX-L37BN-200.000 |
ECS晶振 |
ECX-L |
XO |
200 MHz |
LVDS |
|
ECS-LVDS25-2000-A |
ECS晶振 |
ECS-LVDS25 |
XO |
200 MHz |
LVDS |
|
ECS-VC-TXO32-S3-33-100-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-VC-TXO32-S3 |
VCTCXO |
10 MHz |
Clipped Sine Wave |
|
VC-TXO-39SMX-100-TR |
ECS晶振 |
VC-TXO-39SMX |
VCTCXO |
10 MHz |
Clipped Sine Wave |
|
ECS-2333-240-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2333 |
XO |
24 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2333-018-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2333 |
XO |
1.8432 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2333-120-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2333 |
XO |
12 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2333-100-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2333 |
XO |
10 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2333-250-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2333 |
XO |
25 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2333-333.3-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2333 |
XO |
33.333 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2033-200-BN |
ECS晶振 |
ECS-2033 |
XO |
20 MHz |
CMOS |
|
ECS-7050MV-250-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-7050MV |
XO |
25 MHz |
HCMOS |
|
ECS-327MVATX-3-CN-TR3 |
ECS晶振 |
ECS-327MVATX |
XO |
32.768 kHz |
CMOS |
|
ECS-3963-240-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3963-BN |
XO |
24 MHz |
HCMOS |
|
ECS-327MVATX-1-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-327MVATX |
XO |
32.768 kHz |
CMOS |
|
ECS-7050MV-080-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-7050MV |
XO |
8 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2018-240-BN |
ECS晶振 |
ECS-2018 |
XO |
24 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2033-080-BN |
ECS晶振 |
ECS-2033 |
XO |
8 MHz |
CMOS |
|
ECS-5032MV-400-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-5032MV |
XO |
40 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MV-500-CN-TR3 |
ECS晶振 |
ECS-3225MV |
XO |
50 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2333-480-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2333 |
XO |
48 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MVLC-500-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVLC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225MV-240-BN-TR3 |
ECS晶振 |
ECS-3225MV |
XO |
24 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MV-250-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MV |
XO |
25 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MV-250-BN-TR3 |
ECS晶振 |
ECS-3225MV |
XO |
25 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MV-120-BN-TR3 |
ECS晶振 |
ECS-3225MV |
XO |
12 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MV-240-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MV |
XO |
24 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MVQ-250-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVQ |
XO |
25 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MVLC-080-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVLC |
XO |
8 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225MVLC-250-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVLC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225MVLC-100-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVLC |
XO |
10 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225MVLC-250-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVLC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225MVLC-160-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVLC |
XO |
16 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225MVLC-120-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVLC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
|
ECS-3225MVQ-500-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVQ |
XO |
50 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2520MV-333.3-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-2520MV |
XO |
33.3333 MHz |
HCMOS |
|
ECS-2520MV-240-BL-TR |
ECS晶振 |
ECS-2520MV |
XO |
24 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MV-320-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MV |
XO |
32 MHz |
HCMOS |
|
ECS-7050MV-010-BN-TR |
ECS晶振 |
ECS-7050MV |
XO |
1 MHz |
HCMOS |
|
ECS-3225MVQ-120-CN-TR |
ECS晶振 |
ECS-3225MVQ |
XO |
12 MHz |
HCMOS |
