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MtronPTI晶振常见问题及解决方案大全

2026-06-11 13:40:34 

MtronPTI晶振常见问题及解决方案大全

MtronPTI是全球深耕高端频率控制,精密时钟同步领域的标杆级品牌,专注于为高可靠,高精度场景提供全套频率控制解决方案.旗下产品矩阵覆盖全品类石英频率元器件,包含无源石英晶体,普通有源晶振,压控晶振(VCXO),温补晶振(TCXO),恒温晶振(OCXO),差分高频晶振等系列产品,全面适配低频时钟计时,中频信号同步,高频射频传输,超精密时钟校准等各类工况需求.品牌依托自研纳米级晶片切割工艺,精密镀膜技术,低噪声电路设计与严苛的出厂校准体系,让全系产品具备超低相位噪声,极致温度稳定性,超低老化率,强抗机械冲击四大核心优势,彻底区别于市面上通用型民用,工业级晶振,是军工,航天,高端通信领域的核心优选元器件.其产品已大规模落地于5G/6G宏微基站,卫星导航定位系统,航空航天机载设备,军工测控装置,高精度工业自动化设备,核心网络服务器晶振,精密医疗检测仪器,微波射频通信设备等高端领域,这类场景对时钟信号的频率准确度,波形纯净度,长期运行稳定性,高低温环境适应性均有着近乎严苛的行业标准,普通晶振完全无法满足工况要求.为适配严苛使用场景,MtronPTI所有精密晶振出厂前均需经过多轮标准化可靠性测试,包含高低温循环老化,高频震动冲击,湿热防潮,盐雾抗氧化,长期通电老化等严苛验证,出厂参数一致性,稳定性,环境耐受能力远超行业通用标准.但在实际工程落地全流程中,涵盖前期研发选型,PCB电路方案设计,SMT批量贴片生产,设备现场工况运行以及物料仓储保管等各个环节,任何细微的操作偏差都可能影响晶振性能.例如型号参数错配,负载电路设计不规范,PCB布线干扰,焊接热冲击超标,现场电磁环境复杂,仓储温湿度超标等问题,都会直接破坏晶振的固有谐振状态与稳定振荡条件,进而引发设备时钟完全停振,频率持续漂移,时序逻辑错乱,高速数据频繁丢包,设备周期性重启,甚至整机停机失效等各类疑难故障,严重影响终端设备的运行精度,工作稳定性与使用寿命.

在多年硬件研发调试,批量生产质检,设备现场运维及售后技术支持的实战经验中发现,绝大多数MtronPTI晶振故障并非器件本体质量瑕疵,而是工程应用不规范,参数匹配不合理,环境适配不到位导致的人为,设计类故障.为帮助行业从业人员系统性解决晶振相关问题,本文全面汇总工程现场中MtronPTI晶振最高发,最典型,最难排查的各类故障问题,摒弃空洞的基础理论,深度拆解每一类故障的底层工作原理,核心诱发因素与隐性风险点,精准区分硬件设计,软件配置,生产工艺,环境干扰,仓储选型等不同维度的故障根源.同时结合量产落地经验,提供一套可直接照搬,可快速落地的标准化故障排查流程,现场调试技巧与彻底根治方案,杜绝临时治标不治本的维修方式.除此之外,本文针对性梳理了研发设计,批量生产,现场运维全流程的高频认知误区与操作避坑要点,全方位适配硬件研发工程师样机调试,生产质检人员批量品控,设备运维人员现场排障,技术人员故障复盘等多场景使用需求,能够有效降低晶振故障发生率,缩短故障排查周期,帮助从业人员快速攻克MtronPTI精密晶振的各类疑难问题.

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一.核心常见故障:晶振不起振/起振异常

晶振不起振,起振微弱,间歇性起振是MtronPTI无源晶体,通用有源晶振在样机调试和批量生产中发生率最高的故障类型.该故障直观表现为设备无有效时钟输出,主控芯片无法识别时钟信号,程序初始化卡死,外设模块启动失败,整机无法上电运行,是硬件调试过程中需要优先排查的核心问题.区别于普通晶振,MtronPTI高精度晶振振荡阈值更严苛,对电路匹配,驱动能力,环境参数敏感度极高,常规通用调试方法无法适配,极易出现排查误区.

1.主要故障成因

负载电容不匹配(核心高发原因):MtronPTI美国进口贴片晶振对负载电容(CL)参数容错率极低,官方规格书标注的负载电容为精准适配值,行业通用偏差标准需严格控制在≤±5%.若PCB板端外接的匹配电容容值偏差过大,电容精度等级过低,会直接改变晶振两端的等效负载参数,破坏谐振振荡条件.具体表现为:外接电容偏大时,电路整体阻抗升高,振荡回路负性阻抗不足,无法维持持续振荡;外接电容偏小时,晶振电压摆幅过大,激励功率严重超标,导致起振微弱,波形失真甚至完全不起振,是90%以上无源晶振不起振的根本原因.
选型参数错误,型号混用:部分研发人员存在"同频率晶振可通用"的误区,忽略MtronPTI晶振的精细化参数差异.除核心频率外,负载电容,工作温度等级,封装尺寸,驱动功率,温漂参数任一不匹配,都会导致起振失败.典型案例:工业MCU常规适配6PF负载的32.768kHz时钟晶振,若误选用MtronPTI同频率但负载电容为12.5PF的型号,板端电路无法形成有效谐振,直接出现完全不起振故障;此外,误用商用温度等级晶振替代军工宽温型号,也会导致高低温环境下起振异常.
硬件焊接缺陷与物理损伤:MtronPTI精密晶振多为贴片小型化封装,晶片结构精密,抗机械冲击能力较弱.生产SMT贴片,手工焊接过程中,极易出现引脚虚焊,漏焊,连锡短路,焊盘氧化脱落等焊接问题;运输,打板,装配工序中,剧烈撞击,高频震动,板材弯折挤压,会造成晶振内部微型晶片碎裂,封装胶体开裂,气密性失效,导致电气通路中断,最终引发永久性不起振故障,这类故障多为不可逆损伤.
电路驱动参数配置异常:各类MCU,FPGA,SOC主控芯片均自带时钟振荡驱动模块,存在多档位驱动等级.若软件配置的驱动等级过低,电路放大增益不足,无法为晶振起振提供充足激励能量;若驱动等级过高,会导致晶振激励功率超过额定阈值(行业通用安全标准≤10μW),造成晶振过载,出现起振不稳定,间歇性停振甚至无法起振的问题,该故障在高端主控芯片适配高精度晶振场景中尤为常见.
物料存储不当导致受潮失效:MtronPTI精密晶振属于高精密无源器件,对存储环境温湿度要求极高.若长期放置在高温,高湿,多粉尘的无防护环境中,晶振金属引脚会快速氧化生锈,增大接触电阻;同时水汽会通过封装微小缝隙渗入内部,导致晶片受潮,电极氧化,绝缘性能下降,最终造成晶振电气性能衰减,彻底失效,上机后无法正常起振.
2.排查与解决方法

严格核对晶振完整型号,规格书参数,重点校验频率,负载电容,工作温度,封装尺寸四大核心参数,坚决杜绝仅匹配频率的盲目替换方式,及时更换选型错误,参数不匹配的器件,从源头规避适配故障.
精准检测PCB板端外接匹配电容的实际容值,优先选用1%高精度时钟源晶振,低温漂电容.结合晶振工作状态微调参数:设备出现正频偏移时适当增大电容容值,出现负频偏移时小幅减小电容容值,严格将负载参数偏差控制在±5%以内,保证振荡回路参数精准匹配.
使用万用表通断档,显微镜双重检测晶振引脚焊接状态,精准排查虚焊,假焊,连锡短路,焊盘脱落等问题,及时补焊,重焊修复故障点位;对于封装开裂,胶体破损,受潮氧化,晶片损伤的晶振,直接做报废更换处理,避免二次故障.
结合晶振规格书参数,重新配置主控芯片时钟驱动档位,优化振荡电路放大增益,通过示波器实测晶振激励功率,确保功率稳定控制在10μW额定安全范围内,既保证充足起振能量,又避免器件过载损伤.
建立标准化物料存储规范,MtronPTI精密晶振需密封防潮存放,存储环境严格控制温度≤40℃,相对湿度≤60%RH,远离腐蚀性气体,粉尘与高温热源;对于超3个月长期存放的物料,上机前需进行通电测试,参数校验,确认性能正常后方可投入生产使用.
二.高频故障:频率偏移,精度不达标

频率偏移,时钟精度不达标是MtronPTI晶振在高端应用场景中最影响设备核心性能的高频故障.MtronPTI晶振出厂频率精度普遍达到ppm甚至ppb级别,可满足精密时钟同步,射频通信,卫星定位等高精度需求.若设备出现时钟走时快慢偏差,通信频点偏移超标,无线数据传输频繁丢包,多设备时钟同步失效,定位精度下降等问题,均可判定为晶振频率漂移故障.该故障属于隐性慢性故障,初期不易察觉,长期运行后会直接导致设备性能降级,通信异常,系统同步失效.

1.主要故障成因

负载电容参数失衡(首要人为诱因):负载电容不仅决定晶振能否起振,更直接影响晶振谐振频率的精准度.若板端匹配电容容值存在偏差,选用普通温漂系数大的低成本电容,设备工作温度变化时,电容容值会随温度大幅波动,导致晶振等效负载持续变化,最终引发频率偏移,精度超标,是工程中最容易忽视的核心问题.
环境温度剧烈波动影响:普通无源晶振天然温漂特性较差,无法适配宽温工况.在户外基站,车载设备,工业温控设备,航空航天装置等场景中,环境温度从-40℃~+85℃大幅波动时,普通无源晶振谐振频率会出现大幅漂移.若未根据工况需求,针对性选用MtronPTI温补晶振(TCXO),恒温晶振(OCXO)等高稳定型号,必然会出现精度不达标,频点偏移的问题.
机械应力与震动干扰:MtronPTI晶振内部晶片为精密石英结构,对应力,震动极度敏感.PCB板材回流焊形变,设备组装螺丝过度挤压,设备长期高频震动,运输颠簸冲击等,都会让晶振晶片承受持续性机械应力,导致谐振频率发生不可逆或可逆性偏移,造成设备时钟精度持续下降.
器件长期工作老化损耗:晶振存在天然的老化特性,MtronPTI高端晶振虽抗老化性能优异,但长期处于高温,高负载,连续通电工作状态下,内部石英晶片,电极材料会出现缓慢老化,谐振频率会随使用时间出现渐进式偏移.该故障多发于长期不间断运行的基站,服务器,测控设备,属于典型的后期失效问题.
电源纹波与电压波动干扰:晶振振荡过程需要稳定纯净的供电电压,若设备电源模块滤波设计缺失,供电电压不稳定,直流纹波过大,存在高频杂波,会持续干扰晶振振荡电路的工作状态,破坏谐振稳定性,间接引发频率小幅偏移,精度波动,长期累积后会造成明显的时钟偏差.
2.排查与解决方法

重新校准板端负载电容参数,严格按照晶振规格书匹配容值,全面替换普通电容,选用NP0材质,1%高精度,超低温度系数的高频专用电容,彻底杜绝电容温漂,容值偏差引发的频率偏移问题,保障负载参数长期稳定.
针对性适配工况场景,常温静态场景可选用高精度无源晶振;-40℃~+85℃宽温波动,高精度时钟场景,替换为MtronPTITCXO温补晶振;军工,基站,精密测控等超高稳定场景,优先选用OCXO恒温晶振,从选型层面解决温漂导致的精度问题.
优化PCB结构与设备装配工艺,晶振布局避开PCB弯折受力区域,设备组装时避免螺丝,外壳挤压晶振本体;震动频繁的设备可增设硅胶减震垫,固定支架,削弱机械应力与震动对晶振的干扰,稳定谐振频率.
优化电源供电电路,在晶振供电输入端增设磁珠,多级滤波电容,滤除电源高频杂波与纹波,稳定供电电压;针对高精度设备,可搭配专用LDO稳压芯片,为晶振提供纯净,无波动的供电环境.
建立设备定期巡检机制,对连续运行3年以上,频繁出现时钟偏差的设备,及时检测晶振频率参数,对老化偏移超标的晶振直接更换全新正品器件,避免老化问题影响设备长期运行精度.
三.信号异常:相位噪声大,时钟抖动超标

相位噪声超标,时钟抖动过大是MtronPTI高频晶振(100MHz以上)的典型故障,集中出现在射频通信,卫星导航,高速数据传输,微波设备等高端场景.通过示波器,频谱仪可直观观测到故障波形:时钟方波畸变,上升沿/下降沿抖动严重,波形存在杂波毛刺.该故障会直接导致设备射频信噪比大幅下降,接收灵敏度降低,信号干扰加剧,数据传输误码率飙升,严重时会造成通信链路中断,定位失效,是射频设备调试中重点攻克的难题.

1.主要故障成因

PCB布线设计不规范(核心诱因):高频时钟信号对走线长度,间距,屏蔽要求极高.若进口时钟晶振走线过长,走线迂回弯折,或紧邻DDR高速信号线,射频走线,大功率电源线,且未做包地屏蔽,隔离处理,周边线路的高频信号会对晶振振荡信号产生串扰耦合,直接破坏时钟信号纯净度,造成相位噪声恶化,时钟抖动超标.
电源高频噪声耦合干扰:晶振供电回路是噪声干扰的主要通道,若供电电路缺少高频滤波设计,开关电源,DSP芯片,功率管工作产生的高频噪声会通过供电线路直接耦合至晶振振荡电路,叠加在标准时钟信号上,导致波形畸变,噪声抬升,大幅降低时钟信号质量.
高速信号阻抗不匹配:MtronPTI高频晶振输出的高速时钟信号,传输过程中若未设计终端匹配电阻,会出现信号反射,谐振震荡问题,导致时钟波形畸变,边沿抖动加剧,是高频晶振抖动超标的重要技术诱因.
周边器件电磁辐射干扰:电路板上的MOS管,继电器,开关芯片,功放器件等功率元件,工作时会产生高频电磁辐射与脉冲干扰.若晶振布局距离干扰源过近,无隔离屏蔽措施,电磁辐射会持续干扰晶振稳定振荡,导致相位噪声,时钟抖动参数不达标.
2.排查与解决方法

优化PCB核心布局规则,晶振尽量紧贴主控芯片时钟引脚放置,最大限度缩短时钟走线长度,杜绝迂回走线;时钟走线全程完整包地,包地铜箔可靠接地,严格远离高频射频线,功率电源线,开关信号线,从布线层面规避信号串扰.
完善多级电源滤波设计,在晶振供电引脚就近并联0.1μF高频去耦电容+10μF储能电容,搭配高频磁珠组成滤波网络,精准滤除电源高频杂波与纹波,为晶振提供低噪声供电环境,杜绝电源噪声耦合干扰.
根据时钟信号频率,匹配对应阻值的终端电阻,实现高速信号阻抗匹配,彻底消除信号反射,波形震荡畸变问题,优化时钟边沿特性,大幅降低时钟抖动数值.
调整器件布局,将晶振与功率器件,开关干扰源远距离隔离;对高频高精度应用场景,可在晶振区域增加金属屏蔽罩,实现物理电磁隔离,彻底净化振荡环境,提升时钟信号纯净度.
四.器件异常:晶振发烫,间歇停振

在设备长时间连续运行工况下,部分MtronPTI晶振会出现机身异常发烫,时钟断断续续输出,间歇性停振的故障现象.典型表现为设备初次上电工作正常,运行半小时至数小时后时钟失效,模块掉线,系统报错,重启设备后短暂恢复正常,后续反复复发,无固定规律.该故障多由电路参数失衡,散热不良,回路漏电,振荡条件不达标等隐性问题导致,排查难度较高,属于持续性工况故障.

1.主要故障成因

晶振激励功率过大,长期过载:当板端负载电容取值过小时,晶振两端电压摆幅会远超额定范围,导致激励功率持续超标.晶振长期处于过载工作状态,内部晶片功耗剧增,进而出现机身发烫,温度升高,高温进一步恶化振荡参数,最终引发间歇性停振,工作失效的恶性循环.
设备散热不良,环境温度超标:若设备整机散热结构设计缺陷,散热风道堵塞,密闭空间无散热措施,设备运行后内部温度持续升高,超出晶振规格书额定工作温度范围.MtronPTI精密晶振内置温控保护机制,高温环境下会触发振荡暂停,间歇工作,以此保护器件不被烧毁,直观表现为间歇性停振.
PCB回路漏电,微短路隐患:PCB生产残留助焊剂,锡渣,或设备长期在潮湿环境运行导致板材受潮,绝缘性能下降,会造成晶振时钟回路出现微漏电,隐性微短路问题.回路漏电流持续增加,晶振工作功耗升高,机身异常发热,同时破坏振荡稳定性,引发间歇停振故障.

20260519093719

电路负性阻抗余量不足:晶振稳定振荡的核心条件是电路负电阻值需大于晶振额定阻抗,且预留充足余量.若电路设计不合理,驱动能力不足,负性阻抗余量过小,设备负载波动,温度变化时,振荡平衡条件被打破,就会出现时振时停的间歇性故障.
2.排查与解决方法

重新精准匹配负载电容参数,在规格书允许范围内适当增大容值,降低晶振电压摆幅与激励功率,将工作功耗控制在额定安全区间,彻底解决器件过载发烫问题,恢复稳定振荡状态.
优化设备整体散热方案,清理散热风扇,散热孔灰尘杂物,疏通散热风道;密闭设备增设散热片,导热垫,降低机身内部温升,确保晶振工作温度严格符合规格书标准,避免高温触发间歇停振保护.
使用洗板水,无尘布彻底清洁晶振周边PCB区域,清除残留助焊剂,锡渣,粉尘;对受潮板材进行烘干处理,排查并修复隐性漏电,微短路故障,恢复时钟回路绝缘性能,降低工作功耗.
通过专业仪器实测电路负电阻参数,对比晶振规格书额定阻抗值,确保负电阻预留充足余量;若余量不足,通过调整驱动参数,优化电路结构提升负性阻抗,保障全工况下振荡持续稳定.
五.日常使用与选型高频误区(避坑重点)

结合大批量生产调试与长期运维数据统计,MtronPTI进口差分晶振95%以上的故障并非器件本身质量缺陷,而是研发选型,PCB设计,生产焊接,仓储运维等环节的不规范操作导致.以下汇总工程人员最容易触碰,最高发的四大认知误区,针对性拆解错误逻辑,给出标准化操作规范,从源头规避故障产生.

误区1:盲目通用替换晶振:多数从业人员存在"频率一致即可通用"的错误认知,随意用普通工业晶振替换MtronPTI高精度晶振.实际上,两款晶振即便频率相同,负载电容,温漂系数,驱动功率,相位噪声,老化率参数也存在巨大差异,盲目替换会直接引发不起振,频率漂移,噪声超标等各类问题,替换晶振必须严格匹配完整型号参数.
误区2:忽略存储时效与环境要求:MtronPTI精密晶振属于湿气敏感元器件,开封后长期裸露放置在常温常湿环境中,会快速出现引脚氧化,晶片受潮,封装气密性下降等问题.很多企业物料随意堆放,无防潮密封措施,超期物料直接上机使用,极易出现批量性能不良,失效故障,建议开封后真空防潮存储,超期物料必须全检参数后再使用.
误区3:焊接温度过高,时长超标:MtronPTI晶振内部石英晶片,电极,封装胶体均不耐高温,部分焊接人员为追求焊接效果,采用高温长时间焊接,反复补焊操作.温度过高,热冲击过大会导致内部晶片应力损伤,电极脱落,封装开裂,造成晶振隐性失效,后期慢性故障,必须严格遵循官方焊接温度曲线与焊接时长标准.
误区4:忽视软件时序配置排查:遇到晶振工作异常时,多数人员优先排查硬件电路,器件质量,完全忽略软件配置问题.实际工程中,大量晶振不起振,工作不稳定故障,是由主控芯片时钟驱动档位配置错误,分频系数设置异常,时钟使能未开启,时序参数不匹配导致,软件排查应纳入常规故障排查流程.
为帮助研发,运维人员快速定位故障,缩短排查周期,规避无效检测,结合故障发生率与排查难易度,整理出标准化MtronPTI晶振故障逐级排查优先级,可适配所有故障场景快速定位问题根源:

外观物理损伤与焊接缺陷检测→完整型号参数选型核对→负载电容参数精准校验→电源供电稳定性与纹波检测→PCB布线,屏蔽与干扰排查→软件时钟时序配置校验→器件老化与永久性损伤判定
MtronPTI晶振常见问题及解决方案大全

M6055S010 24.000000

M6055 and M6056

TCXO

±2.0 ppm

24

M6055S015 25.000000

M6064 and M6065

TCXO

±5 ppm

25

M6055S026 20.000000

M6055 and M6056

TCXO

±3 ppm

20

M6056S001 12.800000

M6055 and M6056

VCTCXO

±1 ppm

12.8

M6056S002 20.950000

M6055 and M6056

VCTCXO

±1 ppm

20.95

M6056S003 52.000000

M6055 and M6056

VCTCXO

±1 ppm

52

M6056S006 40.000000

M6055 and M6056

VCTCXO

±1 ppm

40

M6056S010 26.000000

M6055 and M6056

TCXO

±1 ppm

26

M6053S017 20.480000

M6053 and M6054

TCXO

±1.5 ppm

20.48

M6056S017 16.000000

M6056

VCTCXO

±0.5 ppm

16

M6064S021 32.000000

M6064 and M6065

TCXO

±2.5 ppm

32

M6064S022 24.000000

M6064 and M6065

TCXO

±0.5 ppm

24

M6064S025 32.000000

M6064 and M6065

TCXO

±2.5 ppm

32

M6064S034 25.000000

M6064 and M6065

TCXO

±20 ppm

25

M6065S005 10.000000

M6064 and M6065

VCTCXO

±2.5 ppm

10

M6065S007 16.384000

M6064 and M6065

VCTCXO

±1 ppm

16.384

M6065S009 10.240000

M6064 and M6065

VCTCXO

±1 ppm

10.24

M6065S010 20.473280

M6064 and M6065

VCTCXO

±2.5 ppm

20.4733

M6065S013 38.400000

M6064 and M6065

VCTCXO

±2.5 ppm

38.4

M6065S015 33.696000

M6064 and M6065

VCTCXO

±1 ppm

33.696

M6065S017 40.000000

M6064 and M6065

VCTCXO

±1 ppm

40

M6065S020 16.000000

M6064 and M6065

VCTCXO

±0.5 ppm

16

M6066S002 38.400000

M6066

TCXO

±0.5 ppm

32

M6101S025 10.000000

M616x

VCTCXO

±0.28 ppm

10

M6131S016 23.100000

M6130 and M6031

TCXO

±2 ppm

23.1

M6131S008 32.000000

M6130 and M6031

TCXO

±20 ppm

32

M6131S024 100.000000

M6130 and M6031

TCXO

±10 ppm

100

M6131S033 80.000000

M6130 and M6031

TCXO

±2.5 ppm

80

M6131S034 107.100000

M6130 and M6031

TCXO

±4 ppm

107.1

M6151S004 10.000000

M615x

TCXO

±4.6 ppm

10

M6151S005 12.800000

M615x

VCTCXO

±4.6 ppm

12.8

M6151S006 20.000000

M615x

VCTCXO

±4.6 ppm

20

M6151S007 20.000000

M615x

TCXO

±4.6 ppm

20

M6151S012 10.240000

M615x

VCTCXO

±4.6 ppm

10.24

M61511SFSN 12.800000

M615x

TCXO

±4.6 ppm

12.8

M61511STCN 50.000000

M615x

VCTCXO

±4.6 ppm

50

M61512SFCN 24.576000

M615x

TCXO

±4.6 ppm

24.576

M61512SFCN 25.000000

M615x

TCXO

±4.6 ppm

25

M61512STCN 26.000000

M615x

VCTCXO

±4.6 ppm

26

M61512STSN 10.000000

M615x

VCTCXO

±4.6 ppm

10

M61512STSN 20.000000

M615x

VCTCXO

±4.6 ppm

20

M61516SFCN 16.384000

M615x

TCXO

±4.6 ppm

16.384

M6161S002 12.800000

M616x

VCTCXO

±4.6 ppm

12.8

M6161S018 12.800000

M616x

VCTCXO

±4.6 ppm

12.8

M6161S019 31.820000

M616x

VCTCXO

±0.5 ppm

31.82

M6161S021 30.000000

M616x

TCXO

±10 ppm

30

M6161S022 10.000000

M616x

VCTCXO

±2.5 ppm

10

M6161S023 12.800000

M616x

TCXO

±0.3 ppm

12.8

M6161S026 50.000000

M616x

VCTCXO

±1 ppm

50

M6161S030 50.000000

M616x

TCXO

±1 ppm

50

M6161S033 44.000000

M616x

TCXO

±15 ppm

44

M6161S052 10.000000

M616x

VCTCXO

±0.5 ppm

10

M6161S055 20.000000

M616x

TCXO

±10 ppm

20

M6161S056 20.000000

M616x

VCTCXO

±0.2 ppm

20

M6162S002 50.500000

M616x

VCTCXO

±1 ppm

50.5

M6164S003 20.000000

M616x

TCXO

±5 ppm

20

M6164S012 50.000000

M616x

TCXO

±10 ppm

50

M6164S017 40.000000

M616x

VCTCXO

±1 ppm

40

M6164S018 10.000000

M616x

TCXO

±0.5 ppm

10

M6164S020 32.000000

M616x

VCTCXO

±0.5 ppm

32

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